KAIST представляет память следующего поколения со сверхнизким энергопотреблением
Сайт университета KAIST сообщает, что исследовательская группа под руководством профессора Шинхёна Чоя разработала устройство памяти нового поколения с фазовым переходом, потребляющее минимальное количество энергии, и готовое заменить как DRAM, так и NAND флэш-память.
Память...