Томские учёные создали диоды нового поколения

В пресс-службе Томского государственного университета (ТГУ) сообщили, что ученые вуза разработали диоды на основе оксида галлия — перспективного материала для полупроводниковых устройств. Первые лабораторные образцы уже прошли испытания.

Как пояснил аспирант ТГУ Никита Яковлев, оксид галлия относится к полупроводникам четвёртого поколения. Такие материалы отличаются устойчивостью к высокому напряжению, экономичностью и компактными размерами. Разработка выдерживает напряжение более 1000 вольт.

Проект получил поддержку Фонда содействия инновациям. Сейчас специалисты работают над оптимизацией производственного процесса. По их словам, новые диоды найдут применение в различных областях — от энергоэффективных зарядных устройств до систем управления электромоторами автомобилей.

Хотя лидером в разработке полупроводников на оксиде галлия сейчас является Китай, российские учёные активно работают в этом направлении.