Группа учёных из Корнеллского университета (Cornell) совместно с компаниями ASM и TSMC представила революционный метод визуализации скрытых атомарных дефектов в передовых полупроводниковых структурах. Технология позволяет оценить повреждения на масштабе нескольких атомов, что важно при отладке техпроцессов производства чипов, чтобы выстроить зрелое производство с минимальным уровнем брака. Визуализация слоёв кремния, диоксида кремния и оксида гафния внутри канала транзистора. Источник изображения: Cornell
