Ученые раскрыли механизм возникновения «эффекта памяти» (сегнетоэлектрического эффекта) в устройствах на основе графеновых нанолент. Это позволит создавать новые нейроморфные устройства для систем искусственного интеллекта (ИИ), сообщили ТАСС в Минобрнауки РФ.
