Snapdragon 830 будет построен по нормам 10 нм техпроцесса

Только ленивый не слышал о том, что сегодняшний флагман Snapdragon 820 обладает воистину несокрушимой мощью, не давая шанса соперникам потягаться с ним в той же игровой производительности. Этот чип уже затмил все самые смелые ожидания и выполнил свою цель в повышении престижа и авторитетности Qualcomm. Сейчас инженеры компании трудятся над следующим поколением флагманских микропроцессоров Snapdragon 830.

В сети появилась новая неофициальная информация, что чип создадут по 10 нм техпроцессу FinFET. Эти сведения противоречат заявлению компании Samsung, которое она сделала сначала этого года, утверждая, что при разработке лучшего микропроцессора применят нормы 14 нм техпроцесса FinFET. Напомним, что по подготовительной информации именно южнокорейский гигант будет создавать Snapdragon 830.

Сообщается, что новый чип получит графику Adreno 540, модем X16 LTE со скоростью передачи данных до 980 Мбит/с, будет поддерживать работу с оперативной памятью до 8 Гб LPDDR4X и запись видео в формате 4К.

Предполагается, что анонсируют Snapdragon 830 в этом г., а вот 1-ые продукты с ним на борту появятся не ранее 2017 года. Навряд ли к тому времени на рынке найдутся те, кто бросит вызов по производительности новому решению Qualcomm.