Преодоление предела напряжения: 10 кВ транзисторы на базе GaN в режиме обогащения переосмысливают силовую электронику

В стремлении расширить возможности полупроводниковых материалов для силовой электроники исследователи все чаще обращаются к разрушительным свойствам полупроводниковых элементов GaN.