Российские учёные представили сегнетоэлектрическую MELRAM

На днях в журнале Applied Physics Letters была опубликована статья, посвящённая разработке структуры сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти или MELRAM (magnetoelectric RAM).Разработка, что приятно, создана российскими учёными в содружестве с французскими учёными. В проектировании и в создании прототипа были заняты специалисты Московского физико-технического института (МФТИ), Института радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова РАН и Международной ассоциированной лаборатории LIA LICS. В перспективе, если получится создать ячейку нанометрового масштаба, а прототип имеет размеры около одного миллиметра, есть надежда увидеть магниторезистивную память гораздо более простую по строению, чем современная ReRAM со сложными магниторезистивными туннельными переходами. Но главной целью служит мечта, что MELRAM сможет в будущем заменить оперативную память типа DRAM. Последняя, как известно, требует постоянной процедуры регенерации данных, поскольку элементарная ячейка DRAM — это банальный конденсатор с управлением от транзистора. Память MELRAM, напротив, будет энергонезависимой и мало потребляющей....

Полный текст статьи (341 слово).

---